收藏本站
μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
Read and Write Timing
2.0 Clock Cycles Read Latency
[ μ PD44646092A-A], [ μ PD44646182A-A], [ μ PD44646362A-A]
NOP
READ
READ
NOP
NOP
NOP
WRITE
WRITE
READ
(burst of 2) (burst of 2)
(burst of 2) (burst of 2) (burst of 2)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
TKHKH
K
K#
LD#
R, W#
TKHKL TKLKH
TIVK H
T KHIX
TKHK#H
TK#HKH
TAVKH
TKHAX
Address
ODT state
DQ
A0
ODT-ON
A1
ODT-OFF
A2
A3
A4
ODT-ON
ODT-OFF
ODT state
BW#
QVLD
TCQHQVLD
Read Latency = 2.0 clock cycles
ODT-ON
TCQHQVLD
TKHQV
T KHQV
TKHDX
TKHDX
TKHQ X
T KHQX
TKHQZ
TDVKH
TDVKH
TKHCQX1
DQ
Q00
Q01
Q10
Q11
D20
D21
D30
D31
Q40
Q41
TCQHQX
TCQHQX
CQ
TKHCQV
TKHCQX
TKHCQV
TCQHQV
TCQHQ V
TCQHCQ#H T CQ#HCQH
TKHCQX
CQ#
Remarks 1. Q00 refers to output from address A0.
Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, etc.
2. Outputs are disabled (high impedance) 3 clock cycles after the last READ (LD# = LOW, R, W# = HIGH)
is input in the sequences of [READ]-[NOP].
3. The third NOP cycle between Read to Write transition may not be necessary for correct device
operation when Read latency = 2.0 clock cycles. However, it may be required to avoid bus contention.
4. When the ODT control pin is LOW or No Connect, the ODT function is always off.
20
Data Sheet M19960EJ2V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPD44647366AF5-E22-FQ1-A SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA
USB-100 KIT STARTER FOR USB
USBMLCF USB BDM INTERFACE MC P&E
USBMLPPCBDM MULTILINK P&E POWERPC USB
V-9767-L DOOR ECONOGLAS 19" LOCKING
VC-9931 CABINT VISNCB 20.54X23.62X23.62"
VC-9934B VISIONCAB B 35.40X23.62X23.62"
VLA500-01 IC IGBT GATE DVR/DC-DC CONV 12A
相关代理商/技术参数
UPD44646363AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44646363AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44647186AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44647366AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD44647366AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)